SYSCOM PD55035S – MOSFET de Potencia / 7A / 40V / Canal N / D-PAK

Este MOSFET de potencia de canal N está diseñado para aplicaciones exigentes de radiofrecuencia y conmutación de alta velocidad. Su arquitectura permite manejar corrientes de hasta 7 A con una capacidad de bloqueo de 40 V, integrando baja resistencia en estado de conducción y umbral de activación reducido. El encapsulado D-PAK optimiza la disipación térmica en espacios reducidos, resultando ideal para fuentes de alimentación conmutadas, amplificadores de RF y circuitos de potencia compactos donde la eficiencia energética y la respuesta dinámica son críticas.

Características Destacadas

• Transistor MOSFET canal N, 40 V, 7 A
• Optimizado para RF y conmutación de alta velocidad
• Encapsulado D-PAK para disipación térmica eficiente
• Baja resistencia RDS(on) en estado de conducción
• Alta densidad de corriente con bajo umbral de voltaje
• Aplicaciones: fuentes de alimentación, circuitos de potencia, RF

Especificaciones Técnicas