SYSCOM MMBR951 – Transistor NPN / SMD SOT-23 / 100 MHz / 30V Vceo / 100mA Ic / -55°C a +150°C

Transistor NPN de montaje superficial diseñado para aplicaciones que demandan bajo ruido y alta fidelidad en etapas de preamplificación. Su encapsulado SOT-23 ofrece una solución compacta para circuitos integrados modernos donde el espacio es crítico. La combinación de alta ganancia de corriente, baja distorsión y frecuencia de transición de 100 MHz lo hace versátil para señales de audio, RF y comunicaciones. Opera de manera confiable en un amplio rango térmico que abarca desde ambientes extremadamente fríos hasta condiciones de alta temperatura industrial.

Características Principales

• Transistor NPN de bajo ruido para preamplificación de alta fidelidad
• Encapsulado SMD SOT-23 compacto para montaje superficial automatizado
• Baja distorsión optimizada para etapas de audio y comunicaciones
• Alta ganancia de corriente (hFE) de 300 a 800 para amplificación eficiente
• Frecuencia de transición de 100 MHz para aplicaciones de RF
• Rango de temperatura de operación: -55°C a +150°C

Especificaciones Eléctricas

Especificaciones Físicas y Térmicas