SYSCOM IRF9Z30 – Transistor MOSFET / Canal P / 50 V / 18 A / 0.14 Ω / 74 W / TO-220AB

Transistor de potencia MOSFET de canal P diseñado para aplicaciones de conmutación y control en equipos de análisis electrónico. Este dispositivo ofrece una resistencia de encendido ultrabaja de 0.14 Ω que minimiza las pérdidas por conducción, permitiendo operación eficiente con corrientes elevadas hasta 18 A. Su encapsulado TO-220AB facilita la integración en diseños de PCB through-hole con disipación térmica directa, resultando ideal para entornos de laboratorio y equipos de prueba como analizadores de circuitos.

Características principales

• MOSFET canal P con tecnología de óxido metálico
• Voltaje drenaje-fuente (V_DSS): 50 V
• Corriente continua de drenaje: 18 A @ 25°C
• Resistencia R_DS(on) máxima: 140 mΩ @ 9.3 A, 10 V
• Disipación de potencia máxima: 74 W
• Capacitancia de entrada (C_iss): 900 pF @ 25 V
• Carga de compuerta (Q_g): 39 nC @ 10 V
• Voltaje umbral V_GS(th): 4 V máx. @ 250 µA
• Voltaje compuerta-fuente máximo: ±20 V
• Rango de temperatura de unión: -55°C ~ 150°C
• Montaje: Through hole, encapsulado TO-220AB

Especificaciones técnicas