RAMSEY 1SS99 – Diodo Schottky UHF / 1 GHz / 0.5 pF / 10 mA / DO-35 / -55°C a +150°C

Diodo Schottky UHF diseñado para aplicaciones de mezcladores y detectores RF en el rango de frecuencias ultra altas. Su construcción en semiconductor de silicio ofrece baja capacitancia de juntura y reducida caída de tensión directa, permitiendo operación eficiente hasta 1 GHz. La alta linealidad y bajo nivel de ruido lo hacen ideal para receptores de comunicación, equipos de medición RF y circuitos de conversión de frecuencia. El encapsulado DO-35 facilita su integración en diseños de montaje convencional con conexiones polarizadas por cable.

Características principales

• Baja caída de tensión directa para máxima eficiencia en conmutación
• Capacitancia de 0.5 pF que minimiza distorsión en señales UHF
• Alta linealidad en aplicaciones de mezclado y detección RF
• Operación confiable en receptores UHF y sistemas de comunicación
• Resistencia serie de 25 Ω para respuesta de conmutación rápida
• Rango térmico extendido de -55°C a +150°C

Especificaciones técnicas

Aplicaciones típicas

• Receptores de UHF y sistemas de comunicación
• Equipos de medición RF y analizadores de espectro
• Circuitos de conversión de frecuencia y mezcladores
• Detectores de envolvente y demoduladores