SYSCOM PARTS 50-N-06 – MOSFET de potencia / Canal N / 50 A / 60 V / TO-220AB / Proceso MegaFET

Los MOSFET de potencia de canal N se fabrican mediante el proceso MegaFET, que utiliza tamaños de características similares a los de los circuitos integrados LSI para ofrecer una utilización óptima del silicio y un rendimiento excepcional. Estos transistores están diseñados para su uso en reguladores de conmutación, convertidores de conmutación, controladores de motores y controladores de relés. Su capacidad de operación directa desde circuitos integrados simplifica el diseño de circuitos y reduce la complejidad del sistema.

Características principales

• Tecnología MegaFET para rendimiento superior
• Optimización del silicio con proceso similar a LSI
• Diseñado para reguladores y convertidores de conmutación
• Compatible con controladores de motores y relés
• Operación directa desde circuitos integrados
• Encapsulado TO-220AB estándar de la industria

Especificaciones técnicas

Aplicaciones típicas

• Reguladores de conmutación (SMPS)
• Convertidores DC-DC
• Controladores de motores
• Controladores de relés
• Circuitos de conmutación de potencia