SYSCOM 2SC1971 – Transistor RF de Potencia / 120 MHz / 150 W / Bipolar de Silicio

Este transistor RF de alta potencia está diseñado para aplicaciones de transmisión en el rango de frecuencias de radio. Opera hasta 120 MHz con una potencia de salida de 150 W, lo que lo hace ideal para equipos de comunicación, transmisores y amplificadores de RF en entornos profesionales. Su tecnología bipolar de silicio garantiza un rendimiento predecible y documentado. El encapsulado robusto permite su instalación en condiciones industriales exigentes donde la confiabilidad térmica y eléctrica son críticas.

Características principales

• Transistor RF de alta potencia para aplicaciones de transmisión
• Frecuencia máxima de operación: 120 MHz
• Potencia de salida: 150 W
• Tecnología bipolar de silicio
• Diseño robusto para ambientes exigentes
• Compatibilidad con estándares industriales

Especificaciones técnicas