SYSCOM 1N1184A – Diodo de Silicio de Recuperación Estándar / VRMS 70V / IF 35A / VF 1.2V / DO-5 / -55 a +150°C

Diodo de silicio de recuperación estándar diseñado para aplicaciones de potencia en fuentes de alimentación y sistemas de energía. Ofrece una corriente directa continua de 35 A con un voltaje directo de 1.2 V, optimizando la eficiencia en conversión de potencia. Su encapsulado DO-5 con cátodo en la base facilita la identificación y montaje correcto en circuitos de alta corriente. Opera en un rango térmico extendido de -55°C a +150°C, garantizando confiabilidad en condiciones ambientales exigentes.

Características Principales

• Alta capacidad de sobrecarga de 595 A (t = 8.3 ms, media onda sinusoidal)
• No sensitivo a descargas electrostáticas (ESD)
• Resistencia térmica de 0.25°C/W (junto a carcaza)
• Voltaje repetitivo de pico inverso de 100 V
• Corriente inversa de 10 μA (VR = 50 V, TJ = 25°C)
• Encapsulado DO-5 (DO-203AB) con cátodo en base

Especificaciones Técnicas

Aplicaciones

Fuentes de alimentación, sistemas de energía, rectificación de potencia, protección de circuitos y equipos industriales que requieren alta capacidad de sobrecarga y operación confiable en amplios rangos térmicos.